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信息通讯

金誉半导体为通信端口应用提供完整的解决方案，推出了一系列性能与可靠性兼具的优化元器件。在机顶盒、有线调制解调器等设备中，我们的瞬态电压抑制(TVS)二极管和肖特基二极管凭借低功耗、高效率的特性获得广泛应用。这些二极管能有效防护敏感电路免受电压尖峰冲击，确保信号传输稳定，这对现代通信系统至关重要。随着数据传输速率和网络稳定性要求的不断提升，金誉半导体的产品在增强系统整体性能和耐用性方面发挥着关键作用。

系统示意图

AC/DC Power Supply Hot Swap and Monitoring DC-DC Converter CPU/GPU Power Supply Sequencing and Power Saving

金誉半导体针对大功率电源应用，基于先进的多层外延注入技术，自主研发了高压超结（SJ）MOSFET产品。该系列器件具有业界领先的比导通电阻（Rsp）和优值系数（FOM，定义为Rsp×Qg），不仅采用优化单元结构，还具备特殊改良的过渡区和终端设计，展现出高电流密度、强短路能力、快速开关速度及优异易用性等优势特性，完美契合客户对高效率与高可靠性的严苛需求。

为满足大功率电源的能效标准，金誉半导体同步提供基于中低压屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET的同步整流解决方案。其SGT MOSFET已广泛应用于开关电源、电机驱动及电池管理系统（BMS）等领域。当SJ MOSFET与SGT MOSFET配合使用时，可实现更高转换效率、更强健的系统性能及更低的综合成本，特别适合高效率、高标准的电源应用场景。